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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）的噪声主要来源于其内部物理机制和工作条件，场效应管的噪声来源可以包括以下几个方面：
1、内部热噪声：这是所有电子设备中都存在的一种噪声，主要由电子在导体中的不规则运动引起，在场效应管中，热噪声主要来源于沟道中的电荷运动。
2、闪烁噪声：这是一种与场效应管中电荷的离散性质有关的噪声，在低温下，这种噪声尤为明显。
3、外部干扰：包括电源噪声、电磁干扰等，这些外部噪声会通过电路耦合到场效应管上，产生噪声。
至于场效应管噪声系数较大不适合在低噪声应用中使用的原因，主要在于其噪声系数会限制其在某些需要低噪声的应用场景（例如通信、音频处理等）中的性能，噪声系数较大意味着场效应管的信号放大过程中会引入较多的噪声，这在需要高保真、低噪声的应用中是不被接受的，在这些应用中，通常更倾向于使用其他类型的放大器，如低噪声放大器（LNA），它们具有更低的噪声系数。
虽然场效应管在某些应用中有其独特的优势，但在需要低噪声的应用中，选择合适的器件是非常重要的，在选择放大器时，需要根据具体的应用需求和场景来权衡各种因素，包括噪声系数、增益、线性度、功耗等。